하이닉스, 3중셀 32Gb 낸드 세계 첫 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 세계 최초로 3중셀(3bit per cell, X3) 기술을 적용한 32기가비트(Gb) 낸드플래시메모리 개발에 성공했다고 3일 발표했다.

3중셀은 한 셀에 하나의 정보를 담는 싱글 레벨 셀(SLC), 두 개의 정보를 담을 수 있는 기존 멀티 레벨 셀(MLC)에 이어, 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 획기적인 기술이다.

3중셀 기반 제품은 기존 MLC 대비 칩 면적을 30% 이상 줄여 원가를 낮출 수 있다. 하이닉스는 이 기술을 기반으로 16Gb 양산에 한정됐던 첨단 48나노미터 공정기술을 32Gb 제품까지 확대 적용할 수 있게 됐다. 3중셀 32Gb 낸드플래시는 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정이다.

회사 측은 "MLC 낸드플래시는 구조상 SLC 제품보다 성능이 떨어지지만, 이번 3중셀 낸드플래시는 MLC 기반 제품과 동일한 성능을 낼 수 있도록 설계해 원가를 절감할 수 있게 됐다"고 밝혔다.

하이닉스는 MSP(Memory Signal Processing) 기술을 이용해 3중셀 제품의 최대 장애요인인 셀 간 간섭현상을 해결, 성능과 신뢰성을 확보했다. MSP 기술은 향후 4중셀(4 bit per cell, X4) 등 차세대 제품에도 적용할 수 있어, 제조공정 미세화의 한계를 극복하고 생산량을 확대할 수 있는 대안으로 파악된다.

새 제품은 8개로 쌓은 하나의 칩 패키지로 구성해, 32기가바이트(GB)까지 메모리 용량을 구현할 수 있다. 이로써 MP3 음악파일 8천곡 또는 DVD화질급 영화 20편 분량의 정보를 저장할 수 있다.

3중셀 낸드플래시는 하이닉스, 인텔, 소니, 마이크론테크놀로지 등이 주도하고 있는 ONFI(Open NAND Flash Interface) 규정을 따른 세계 최초의 BA(Block Abstracted) 제품이기도 하다. ONFI는 인텔과 마이크론, 하이닉스 등이 지난 2006년 결성한 낸드플래시 인터페이스 표준화 그룹.

낸드플래시는 D램과 달리 전원이 끊어져도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있고, 정보의 입·출력도 자유롭다. 이에 따라 휴대폰과 MP3플레이어는 물론 디지털TV, 캠코더, 디지털카메라, 게임기, 내비게이션 등에 널리 사용되고 있다.