삼성전자 "하반기 20나노급 D램 비중 20% 내외"

[박계현기자] 삼성전자 김명호 상무는 27일 열린 2분기 결산실적 컨퍼런스콜에서 "28나노미터 D램 제품의 비중을 지속적으로 강화해 나가고 있으며 올 하반기 전체 비중 대비 20나노급 비중은 20% 내외가 될 것"이라고 말했다.

또 "20나노 초반 제품과 10나노급까지 생산할 수 있는 ASML의 노광장비인 EUV는 반입이 계속 늦춰지고 있다"며 "2013년 말이나 2014년 EUV 장비를 이용해 제품을 양산할 수 있을 것으로 보인다"고 말했다.

김명호 상무는 ASML사가 제안한 450mm 웨이퍼용 EUV 공동 개발과 투자에 대해 "아직 결정하지 못한 상태로 논의 중"이라며 "ASML과는 지속적으로 협력하고 있고, 향후 투자를 포함 협력관계를 지속적으로 강화해 나갈 것"이라고 덧붙였다.